シングルイベント効果( )とは、半導体に放射線が与える影響の一つ。

１個の高エネルギーの荷電粒子が半導体素子に入射すると、大容量の電子−正孔（電子の抜けた孔）対が発生し、電荷が変化する。

この電荷によってメモリーのビットが反転することをSEU、またはソフトエラーと呼ぶ。

また、集積回路（IC）の中に存在する寄生サイリスタ構造の部分に電荷が発生すると、電極間が導通状態になり外部電源を切るまでICに大電流が流れ続け、ついには焼損することもある（ラッチアップと呼ぶ）。

関連項目

放射線耐性

脚注