テルル化銀

テルル化銀（テルルかぎん、）は、化学式で表されるテルルと銀の無機化合物である。単斜晶系の結晶を形成する。広義のテルル化銀には、AgTe（準安定の化合物）や、Ag5Te3が含まれる。

テルル化銀(I)はとして天然に産出されるのに対し、テルル化銀(II)はとして知られている。

テルル化銀はn型、p型のどちらにもドープ可能な半導体である。化学量論的なAg2Teはn型の導電性を示す。加熱することで、材料から銀が失われる。

非化学量論的なテルル化銀は、を示す。

合成 多孔質のテルル化銀（AgTe）は電気化学的堆積法により合成される。合成は、ポテンショスタットおよび室温で銀ナノ粒子を含む0.5 M硫酸電解質溶液を用いた3電極セルによって行われ、その後二テルル化タングステン（WTe2）の接合に用いる銀のペーストが電解質溶液に溶け出すことで、わずかな量の銀が溶液に溶解する。電解質溶液中の水素の気泡は、磁気棒で撹拌して除去することができる。銀-塩化銀電極と白金線は、それぞれ基準電極および対極として用いられる。全ての電位はこの基準電極に対して計測することができ、ERHE = EAg/AgCl + .059 pH + .197の式を用いて校正される。多孔質のAgTeを成長させるために、WTe2は-1.2～0Vの範囲で走査速度100 mV/sの複数回のサイクリックボルタンメトリーが行われる。

グルタチオン被膜Ag2Teナノ粒子は、10 mMの硝酸銀、5 mMの亜テルル酸ナトリウム（Na2TeO3）および30 mMのグルタチオンを含む9 mLの溶液によって合成される。まずこの溶液を氷浴に入れ、N2H4を溶液に加えた後、撹拌しながら5分間反応させる。得られたナノ粒子を遠心分離により3回洗浄し、PBSに懸濁させ、同様の方法で再び洗浄することで、目的のナノ粒子を得ることができる。

脚注

参考文献

Hagyeong Kwon, Dongyeon Bae, Dongyeun Won, Heeju Kim, Gunn Kim, Jiung Cho, Hee Jung Park, Hionsuck Baik, Ah Reum Jeong, Chia-Hsien Lin, Ching-Yu Chiang, Ching-Shun Ku, Heejun Yang, and Suyeon Cho "Nanoporous Silver Telluride for active hydrogen evolution." (n.d.) https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c09517

関連項目 セレン化銀 硫化銀