left|150px|thumb|IGBT diagramsymbol. right|300px|thumb|En IGBT pakket ind i et hus med skrueterminaler. IGBTen kan klare 3300V og 1200A og er en Mitsubishi CM1200HC-66H. right|300px|thumb|Lodret tværsnit principtegning af en IGBT. thumb|300px|En karakteristik af en IGBT. Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.
Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.
Se også Safe operating area
Eksterne henvisninger
About the inventors Device physics information from the University of Glasgow Spice model for IGBT
Kategori:Effektelektronik Kategori:Transistortyper