thumb|left|200px|En SMD (overflademonteret) effekt MOSFET der kan tåle 45 ampere og 20V. De findes f.eks. på et PC bundkort.
|- align = "center" | N-channels: || Fil:IGFET_symbol_N_dep.png || Fil:IGFET_symbol_N_enh.png |- align = "center" | P-channels: || Fil:IGFET_symbol_P_dep.png || Fil:IGFET_symbol_P_enh.png |- align = "center" | || depletion IGFET || enhancement IGFET
thumb|500px|Specifik modstand som funktion af maksimal design Vds spænding. Den stiblede linje er hvad en ideel siliciumbaseret effekt MOSFET kan opnå. En effekt MOSFET (eller power MOSFET – fabrikant salgsnavne: VMOS, TMOS, DMOS, MegaMOS, HEXFET, HiPerMOS, SIPMOS, TrenchMOS) er en af flere transistortyper, som er elektriske komponenter lavet af halvlederfaststof og formet som en chip og pakket ind i et hus med typisk tre ben (også kaldet terminaler). Deres formål i næsten al elektronik er at forstærke elektriske signaler (analog styring) eller fungere som en elektrisk kontakt (digital styring).
Effekt MOSFET anvendes hovedsageligt med digital styring i effektelektronik som f.eks. SMPS (f.eks. vekselrettere), elmotor-kommutering, udgangsforstærkere, radiosendere, fjernsyn.
En effekt MOSFET er en speciel MOSFET transistorversion, som er optimeret til at lede og spærre for store elektriske strømme (mere end 100 ampere eller mere end 1000 volt) i en brik på ca. 1 cm³. Den høje ydelse nås ved hjælp af en halvlederstruktur, som parallelkobler mange del-MOSFET linjer/baner på stort set hele chip-overfladen.
Det skal bemærkes at effekt MOSFET-transistorer i modsætning til bipolare transistorer ikke har en secondary breakdown-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.
Fra ca. 1980 til 2010 er effekt MOSFETs FOM (Figure-of-Merit) blevet 40 gange mindre (bedre).Sep 1, 2010, powerelectronics.com: eGaN(tm)-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM), backup, pdf, backup Citat: "...FOM (Figure-of-Merit) is a useful method to compare power devices and has been used by MOSFET manufacturers to show both generational improvements and competitive devices:...Fig. 2 Rds(on) vs. QGD for different power transistors...during the past 30 years of MOSFET improvement, the switching FOM has gone down by a factor of 40!..."
Se også LDMOS Safe operating area
Kilder/referencer
Eksterne henvisninger Generelt Webarchive backup: microsemi.com: Introduction to Power MOSFETs (pdf) infineon.com: Power MOSFET Basics (pdf)
Teknisk Elliott Sound Products: Amplifier Basics – How Amps Work: Part 3 – Field Effect Transistors and MOSFETs Surfacing the facts of DMOS Power RF transistors from Published Data Sheets (pdf)
Kategori:Effektelektronik Kategori:Transistortyper